FQNL2N50BTA

Slika je za referencu, kontaktirajte nas da biste dobili pravu sliku

Dio proizvođača	FQNL2N50BTA
Proizvođač	Rochester Electronics
Opis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Kategorija	diskretni poluvodički proizvodi
Obitelj	tranzistori - fetovi, mosfeti - pojedinačni
Životni ciklus:	New from this manufacturer.
Dostava:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plaćanje	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Tehnička tablica	FQNL2N50BTA PDF

Dostupnost

InStock	20.000
Jedinična cijena	$ 0.21000

FQNL2N50BTA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQNL2N50BTA Tehnički podaci

Tip	Opis
niz:	QFET®
paket:	Bulk
status dijela:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologija:	MOSFET (Metal Oxide)
napon odvoda do izvora (vdss):	500 V
struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
pogonski napon (maks. rds uključen, min rds uključen):	10V
rds uključen (maks.) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.7V @ 250µA
naboj vrata (qg) (maks.) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
ulazni kapacitet (ciss) (maks.) @ vds:	230 pF @ 25 V
fet značajka:	-
disipacija snage (maks.):	1.5W (Tc)
Radna temperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
vrsta montaže:	Through Hole
paket uređaja dobavljača:	TO-92-3
paket/kovčeg:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.