SIDR680DP-T1-GE3

Slika je za referencu, kontaktirajte nas da biste dobili pravu sliku

Dio proizvođača	SIDR680DP-T1-GE3
Proizvođač	Vishay / Siliconix
Opis	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Kategorija	diskretni poluvodički proizvodi
Obitelj	tranzistori - fetovi, mosfeti - pojedinačni
Životni ciklus:	New from this manufacturer.
Dostava:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plaćanje	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Tehnička tablica	SIDR680DP-T1-GE3 PDF

Dostupnost

InStock	2.873
Jedinična cijena	$ 3.02000

SIDR680DP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIDR680DP-T1-GE3 Tehnički podaci

Tip	Opis
niz:	TrenchFET® Gen IV
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
status dijela:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologija:	MOSFET (Metal Oxide)
napon odvoda do izvora (vdss):	80 V
struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°c:	32.8A (Ta), 100A (Tc)
pogonski napon (maks. rds uključen, min rds uključen):	7.5V, 10V
rds uključen (maks.) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.4V @ 250µA
naboj vrata (qg) (maks.) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
ulazni kapacitet (ciss) (maks.) @ vds:	5150 pF @ 40 V
fet značajka:	-
disipacija snage (maks.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Radna temperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
vrsta montaže:	Surface Mount
paket uređaja dobavljača:	PowerPAK® SO-8DC
paket/kovčeg:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.